При напряжении питания 1,35 В память Samsung может функционировать с эффективной частотой 1866 МГц. Интересно отметить, что предшественники, 32-Гбайт модули на основе чипов 40-нм класса могли работать на максимальной частоте 1333 МГц, причем при более высоком напряжении питания – 1,5 В.
Напоследок Samsung заявила в своём пресс-релизе также о планах в ближайшем будущем, а точнее, уже во втором полугодии, вывести на рынок ещё более энергоэффективные продукты на базе чипов 20-нм класса. Производство 4-Гбит DDR3 DRAM-чипов 30-нм класса стартовало в феврале этого года.
